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• PCB设计中会遇到的安全间距问题

  PCB设计中的安全间距问题主要分为电气安全间距和非电气安全间距两大类。电气安全间距包括导线间间距、焊盘孔径与焊盘宽度、焊盘间距以及铜皮与板边间距，其中导线间间距至少4mil，焊盘孔径机械钻孔不低于0.2mm，激光钻孔不低于4mil，焊盘间距至少0.2mm，铜皮与板边间距不小于0.3mm且内缩20mil。非电气安全间距涉及字符宽度、丝印到焊盘的距离以及机械结构上的3D高度和水平间距，确保元件安装不会相互碰撞并留有足够的装配空间。

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  01/13 09:38

  pcb设计
• 电路稳定性设计的十个误区，你都了解吗？

  电路设计中的十个误区包括：产品故障不一定代表产品不可靠，过渡过程不同于稳态过程，降额并非简单操作，Ta不代表器件可放心使用，电子可靠性与机械、软件专业紧密相关，简单器件Datasheet不可或缺，可维修性不应忽视，制程控制不佳并非仅因工艺人员不足，MTBF与单台机器故障率无直接关联，加强测试不能完全解决可靠性问题。

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  01/13 09:37

  电路稳定性
• “自举电路”真的很重要么？

  自举电路，又称升压电路，通过自举升压二极管和电容实现电压升高，最高可达数倍电源电压。该电路常用于甲乙类单电源互补对称电路，解决输出电压不足的问题。具体原理如下： 1. **充电过程**：开关闭合时，电感储能，电容充电至高于电源电压。 2. **放电过程**：开关断开时，电感电流缓慢下降，电容放电并维持较高电压。 3. **应用场景**：广泛应用于高端栅极驱动器、N沟道高端栅极驱动器等多种场景，提高驱动电压，增强电路性能。

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  01/13 09:36

  自举电路
• 菜鸟选择MOSFET的四步骤！

  一位工程师曾经对我讲，他从来不看MOSFET数据表的第一页，因为“实用”的信息只在第二页以后才出现。事实上，MOSFET数据表上的每一页都包含有对设计者非常有价值的信息。但人们不是总能搞得清楚该如何解读制造商提供的数据。本文概括了一些MOSFET的关键指标，这些指标在数据表上是如何表述的，以及你理解这些指标所要用到的清晰图片。像大多数电子器件一样，MOSFET也受到工作温度的影响。所以很重要的一点

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  01/13 09:34

  MOSFET
• 反向恢复时间——二极管

  PN结二极管经常用来制作电开关。在正偏状态，即开态，很小的外加电压就能产生较大的电流；在反偏状态，即关态，只有很小的电流存在于PN结内。我们感兴趣的开关电路参数就是电路的开关速度。下面的内容会定性地讨论二极管的开关瞬态以及电荷的存储效应。在不经任何数学推导的情况下，简单给出描述开关时间的表达式。 二极管的作用 利用二极管正、反向电流相差悬殊这一特性，可以把二极管作开关使用。 当开关K打向A时，二极

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  01/13 09:33

  二极管
• 开关电源MOS的8大损耗计算与选型原则！

  MOS设计选型的基本原则包括电压应力、漏极电流、驱动要求、损耗及散热等方面。在电源电路应用中，首先要考虑漏源电压VDS的选择，使其不超过器件规格书中标称漏源击穿电压的90%。其次是漏极电流的选择，原则上不应超过规格书中标称最大漏源电流的90%，且考虑到温度效应。驱动要求方面，应选择栅极总充电电量(Qg)较小的器件，并在保证远离最大栅源电压的前提下，选择合适的驱动电压。损耗及散热方面，导通损耗、截止损耗、开启过程损耗、关断过程损耗、驱动损耗、Coss电容的泄放损耗、体内寄生二极管正向导通损耗和反向恢复损耗都需要进行计算。这些损耗计算有助于评估器件的实际性能和散热能力，从而做出合理的选择。

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  01/13 09:32

  开关电源 MOS

  
• MOS管开关时的米勒效应！

  米勒平台是MOSFET栅极驱动过程中的一种现象，表现为在MOSFET开通初期，Vgs电压上升缓慢并形成平台。这是由于米勒效应导致的，即栅极电容Cgd在MOSFET开通瞬间通过漏极电容Cds进行充电，造成Vgs电压上升延迟。这种现象会导致开通损耗增加，并影响MOSFET的开关速度。为了减小米勒效应的影响，通常会在栅极和源极间添加额外电容，但这样做会延长开关时间。

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  01/13 09:26

  MOSFET MOS管
• ESD保护管你知多少？

  静电，是大家非常熟悉的一种普遍自然现象。虽然静电独有的特性功能被应用到我们日常生活中，比如：静电除尘、静电复印、静电喷涂、静电植绒、静电分离等，但是，对于电子产品、设备而言，静电放电是一种危害，导致功能紊乱甚至部分精密器件损坏。为此，静电对电路引起的干扰、对元器件、CMOS电路及接口电路造成的破坏等问题引起重视。尤其是接触过静电防护方案设计的工程师，静电对电子产品造成的干扰或损坏程度心知肚明。为此

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  01/13 09:24

  ESD ESD保护二极管
• 分立元器件失效分析

  电子产品研发过程中，由于元器件数量不断增加，零缺陷产品难以完全避免。失效分析是确保产品质量的关键步骤，主要包括电应力分析。本文介绍了失效分析的基本概念、流程和电应力分析的方法，并通过具体案例分析了电流烧坏和电压击穿的区别。为了提高失效分析能力，建议工程师们保持严谨思维、注重细节、冷静分析和拓宽知识面。

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  01/13 09:21

  分立器件

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