分立式晶体管 GaN HEMT: QPD1016L

更新时间 2021-06-16

Qorvo QPD1016L 是 500 W (P3dB) 预匹配分立式 GaN on SiC HEMT,可在直流至 1.7 GHz 和 50 V 电源范围内工作。 该器件采用行业标准气腔封装,非常适用于 IFF、航空电子设备、军用和民用雷达以及测试仪器。 该器件可以支持脉冲和线性操作。 符合 ROHS。 可应要求提供评估板

类型 文档标题 格式 版本 文件大小 下载次数
英文文档 QPD1016L Data Sheet pdf 1.74MB 670
Baidu
map