SiC场效应晶体管器件:UF3N170400B7S

更新时间 2024-01-04

UnitedSiC提供高性能G3 SiC常开JFET晶体管。该系列具有超低导通电阻(RDS(on))和栅极电荷(QG),可实现低导通和开关损耗。这个在VGS=0V时具有低RDS(on)的器件常开特性对于不需要有源控制的电流保护电路以及级联操作也是理想的。

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英文文档 UF3N170400B7S pdf 515.29KB 649
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