How to Bias GaN Transistors: An Introduction Tutorial

3678 观看 上传于 2022-03-15 14:21:36

该视频演示了如何正确偏置 GaN 晶体管。 您还可以参考 Qorvo GaN 晶体管模型库,其中包含强大的 Qorvo 裸片和封装格式 GaN 晶体管的高精度非线性仿真模型集合。 Modelithics Qorvo GaN 库还包含示例项目,这些项目演示了模型特性并促进了常见线性和非线性设计仿真的测试台设置过程。 借助我们设计中心中的此视频等一系列工具,我们将帮助您变得更快、更智能。 我们喜欢在最棘手的射频问题上合作。 将我们视为您的 Smartner™ — 您的智能射频合作伙伴。 如果您需要进一步的支持,请联系 tool-feedback@qorvo.com。

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【重要声明】Qorvo半导体公众号正式更名为Skyworks思佳讯

Skyworks(纳斯达克代码:SWKS)已于2026年10月5日正式完成与Qorvo的合并,Qorvo现已成为Skyworks旗下企业。即日起,本公众号由「Qorvo 半导体」正式更名为「Skyworks 思佳讯」。

GaN功放与大规模MIMO阵列协同的6G基站高能效覆盖路径

GaN功放与大规模MIMO阵列协同需平衡功放效率与通道幅相一致性。数字预失真辅助功放工作在近饱和区,GaN在回退区效率衰减平缓。幅相校准补偿通道离散性和温度漂移,混合波束成形兼顾灵活性与功耗。优化框架在覆盖与容量约束下最小化总功耗,动态偏置和通道关断进一步节能。测试表明该协同在覆盖与能效间取得平衡。

GaN射频器件高功率工况下沟道温度预测与散热路径协同优化

GaN射频器件高功率工况下沟道温度预测需建模从有源区到散热器的多层级热阻路径,碳化硅衬底和界面热阻是关键因素。预测采用热阻网络与有限元仿真结合,散热优化从器件布局、衬底减薄、焊接材料和系统散热协同推进。温度间接测量通过电学参数与外壳温度融合提高可靠性。测试标定热阻参数并验证优化效果,为高功率密度下的可靠运行提供保障。

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