为增强模拟LSI和晶体管的产能，罗姆集团马来西亚工厂投建新厂房
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）和罗姆和光株式会社（总部位于日本冈山县）决定在马来西亚的子公司ROHM-Wako Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd.（以下简称“RWEM”）投建新厂房，以增强市场需求日益增长的模拟LSI和晶体管的产能。
罗姆集团通过在日本国内外工厂投建新厂房和更新制造设备等举措，致力于不断增强产能。在RWEM，已于2016年投建了一座新厂房（2017年4月投入使用），增加了二极管等分立产品的产能。
此次，为了满足市场对半导体产品的强劲需求，罗姆又在RWEM增建一座新厂房，旨在增强产能，同时从BCM（业务连续性管理）的角度出发，推动模拟LSI和晶体管产品的多基地化生产。新厂房建成后，RWEM的总产能预计将增加约1.5倍。
新厂房为地上3层结构，总建筑面积29,580㎡，计划于2022年1月开工，于2023年8月竣工。
罗姆通过引进融入了各种节能技术的设备，努力减轻环境负荷（预计CO2排放量可减少约15%），并通过引进并实施针对各种灾害的新对策，进一步强化业务连续性管理体系。
今后，罗姆集团将继续把握市场走势，根据集团的中期经营计划增强产能，同时深入贯彻实施多基地生产体制、库存管理、设备防灾体系等相关举措，努力为客户提供稳定的供货。
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高频降压型DC-DC转换器中，MOSFET高速开关与寄生电感相互作用产生高dv/dt尖峰及LC谐振振荡，构成传导与辐射干扰源；通过紧凑功率回路布局、连续地平面及开关边沿软化可降低寄生参数影响，结合共模滤波与频率展宽技术，抑制特定频段辐射峰值，实现电磁兼容性优化。
GaN栅极驱动器在高dv/dt与高频开关条件下，寄生效应易引发栅极过压及误触发，其隔离工艺需在绝缘耐压与传输延迟间权衡；采用低寄生电容隔离变压器或高速光耦并结合电压限幅、热管理与EMI抑制策略，可降低共模干扰与热应力累积，从而提升高压高频环境下的系统可靠性。
PIN二极管射频开关利用I区电荷存储特性实现正向低阻与反向高阻切换，插入损耗受正向电阻、寄生电感及阻抗匹配影响，可通过低电感封装与匹配网络优化；限幅响应时间取决于偏置网络充放电速度与驱动方式，采用高速驱动及串并联组合可在纳秒级内完成状态转换，满足高频系统要求。
升压型LED驱动器基于电感储能与PWM占空比调节实现电压抬升，其输出电流纹波受电感值、开关频率及滤波网络共同影响；采用峰值与平均电流双环控制可抑制纹波，配合低ESR电容与RC二次滤波进一步平滑电流，在输入波动与负载变化下实现低纹波恒流输出与高效能量转换。
开关二极管凭借极短反向恢复时间与低结电容，可在纳秒级瞬态过压及ESD事件中快速导通以实现能量泄放与电压钳位；通过低寄生电感封装及靠近保护器件的布局优化，可降低信号通道寄生效应，在保障高速信号完整性的同时实现低损耗、高可靠的过压与浪涌防护。
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