晶圆湿法清洗设备核心功能与技术突破

晶圆湿法清洗设备是半导体制造中用于去除晶圆表面污染物的关键设备，其功能可系统归纳如下：

一、高效化学清洗与物理强化协同

氧化分解：利用强氧化性试剂（如SPM硫酸-过氧化氢混合液）将有机物氧化为CO₂和。

酸性/碱性溶解：SC-2盐酸-过氧化氢溶液溶解金属离子；DHF稀释氢氟酸去除自然氧化层（SiO₂），形成氢终止表面防再吸附。

超声波/兆声波：20–40kHz超声波通过空化效应剥离颗粒（尤其>0.5μm）；0.8–2MHz兆声波处理亚微米级颗粒。

高压喷淋与流体冲刷：溢流槽、QDR快速排水槽通过高纯水瞬时置换带走污染物，提升均匀性至±1.5%13。

典型步骤包括预清洗（DI水冲洗+超声）→化学洗（SPM/SC-1/SC-2/DHF）→终洗（IPA慢提拉干燥/热氮烘干）。

PLC/工业电脑系统精确调控温度（±0.1℃）、药液浓度及时间；支持工艺程序存储、调用与MES数据追溯。

单片清洗机适配高精度制程（光刻前、CMP后）；槽式清洗机实现批量处理（如KT-3000T同时清洗25片晶圆×10制程）。

颗粒去除率≥97%（≥0.06μm），满足ISO Class 5级环境要求；静电排斥技术（SC-1工艺）防止颗粒复附。

废液回收系统通过蒸馏/离子交换再生化学液（回收率＞85%）。

密闭腔体配HEPA过滤；具备泄漏检测、紧急制动及漏电保护，符合SEMI标准。

兼容4–12英寸晶圆及石英部件（炉管、Boat）；耐腐蚀槽体材质（PFA/PVDF/不锈钢）应对不同化学品。

可选配等离子清洗（干法去胶）、毛刷擦拭或TSV硅通孔专用模块，适应功率器件（SiC/点点taptap使用方法）、MEMS等特殊需求。