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安森美（onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON）宣布，已与格罗方德（GlobalFoundries，纳斯达克代码：GFS，简称GF）签署合作协议。双方将基于格罗方德最先进的200毫米增强型硅基点点taptap使用方法 工艺，共同研发并制造先进GaN功率产品，合作将从650V器件开始。此次合作将加速安森美高性能GaN器件及集成功率级的技术路线图，通过扩充高压产品组合，满足AI数据中心、电动汽车、可再生能源、工业系统以及航空航天等领域日益增长的功率需求。
“此次合作将安森美的系统及产品专业积淀，与格罗方德先进的GaN工艺相结合，为高增长市场打造全新650V功率器件。这些GaN产品搭配我们的硅基驱动器和控制器，将助力客户实现创新，为AI数据中心、电动汽车、航天应用等场景构建更小、更高能效的功率系统。我们计划于2026年上半年开始向客户提供样品，并快速扩大至量产规模。”安森美企业战略高级副总裁Dinesh Ramanathan表示。
“我们将200毫米硅基GaN平台与安森美深厚的系统和产品专业积淀相结合，不仅加速了高效解决方案的落地，更为数据中心、汽车、工业、航空航天等关键市场构建了更具韧性的供应链。以安森美为关键合作伙伴，我们将持续推动GaN半导体技术升级，满足人工智能、电气化和可持续能源领域不断演变的需求。”格罗方德首席商务官Mike Hogan说。
安森美将其行业领先的硅基驱动器、控制器和强化散热封装技术，与格罗方德的650V GaN技术平台相结合，打造出更高功率密度和能效的GaN器件。产品应用场景具体包括：AI数据中心taptap手球 及其DC-DC转换器、电动汽车车载充电机及其DC-DC转换器、微型光伏逆变器和储能系统，以及工业与航空航天领域的电机驱动器和DC-DC转换器等。
此次合作进一步扩充了安森美领先的功率半导体产品组合，如今已涵盖了全谱系GaN技术——从低压、中压、高压横向GaN，到超高压垂直GaN。这一全面布局让系统设计人员能够构建下一代电源架构，在更小的尺寸内实现更高的功率输出。GaN技术的核心优势包括：
更高开关频率——通过更高的开关频率运行，GaN技术能帮助设计人员减少元器件数量、缩小系统尺寸并降低成本，同时提升能效和散热性能。
双向导通能力——GaN的双向导通特性支持全新拓扑结构，可替代多达四个传统单向晶体管，从而降低成本并简化设计。
集成化功能——在单个封装内集成GaN FET与驱动器、控制器、隔离和保护功能，可缩短设计周期并降低电磁干扰。强化散热封装和优化的栅极驱动器，即使在高开关速度下也能保障性能和可靠性。
供货情况
安森美计划于2026年上半年开始提供样品。
