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EOS备注：
• 一般EOS定义：“由应用于半导体元件的电气条件超过限值而导致的损坏”。
• 破坏性水平取决于在一定时间内施加的能量量。
• EOS的损坏本身不是根本原因！
• EOS的损坏可能是连续故障机制的结果。
• 极端的损坏可能掩盖了根本原因的证据。
• 任何设备在某个时候都可能受到损坏。
• 不可行的是能够承受所有EOS威胁的设备（由于成本和物理限制/最大额定值）。
• 要确定根本原因，需要尽可能了解设备失败的条件。
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MLZ2012N100LT000 | 1 | TDK Corporation | General Purpose Inductor, 10uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 0805, CHIP, 0805, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT |
|
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$0.13 | 查看 | |
| 320554 | 1 | TE Connectivity | 1.65mm2, COPPER ALLOY, TIN FINISH, RING TERMINAL |
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$0.41 | 查看 | |
| 530L104KT16T | 1 | American Technical Ceramics Corp | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 16V, 10% +Tol, 10% -Tol, X7R, 15% TC, 0.1uF, Surface Mount, 0402, CHIP, ROHS COMPLIANT |
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$1.77 | 查看 |
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