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扫码加入MRFE6VP61K25N，MRFE6VP61K25GN 宽带射频功率LDMOS晶体管数据手册
射频功率LDMOS晶体管 高韧性N沟道增强型横向MOSFET 这些高韧性器件设计用于高驻波比的工业、医疗、广播、航空航天和移动无线电应用。其无与伦比的输入和输出设计允许从1.8到600 MHz的广泛频率范围使用。
特点
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CRCW040215K0FKTD | 1 | Vishay Intertechnologies | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 15000ohm, 50V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0402, CHIP, LEAD/HALOGEN FREE |
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$0.02 | 查看 | |
| BT151-800R,127 | 1 | WeEn Semiconductor Co Ltd | Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-220AB, PLASTIC, SC-46, 3 PIN |
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$0.77 | 查看 | |
| 7-215083-4 | 1 | TE Connectivity | (7-215083-4) MICRO-MATCH MOW.04P |
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$1.11 | 查看 |
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