CMOS

• 模拟版图三大常见工艺：CMOS、BCD、FinFET，差别到底在哪？

  文章指出CMOS、BCD、FinFET不是简单升级路线，而是模拟版图工程师的三道门：CMOS练匹配、对称、寄生等基本功；BCD面对高压、大电流、隔离与散热等硬约束；FinFET在严格规则与寄生下靠布局优化。文末推介天津芯火模拟版图培训平台。

  芯火平台

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  11/04 11:44

  CMOS FinFET
• 意法半导体扩展航天级产品组合，推出通过QML-V认证的四通道LVDS接收器

  意法半导体的RHFLVDS42是一款通过QML-V认证的四通道低压差分信号（LVDS）接收器，兼具高速通信、低功耗和更高的稳健性，适用于航空航天应用。 这款接收器支持最高600 Mbps的数据传输，工作电压范围为2.3 V至3.6 V，符合最新的TIA/EIA-644标准以及Jedec低压逻辑和电源规范，同时兼容传统CMOS设计。 RHFLVDS42具有-4 V至+5 V的宽输入共模电压范围，可提

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  10/27 17:20

  意法半导体 CMOS

  
• 从always on buffer联想到N-well gap和power island

  本文解析CMOS中PMOS/NMOS寄生BJT与PN结构成SCR闩锁根源，说明AON Buffer分共阱与独立阱两类：共阱面积小须放常电Row，独立阱可跨断电域但面积大；并指出电压岛需独立电源、连续封闭NWell、WellTap、Endcap/Filler及Keepout/DNW隔离，防止闩锁与电源冲突。

  志芯

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  10/12 08:36

  CMOS NMOS
• MEMS工艺与传统CMOS工艺，最大的区别到底是什么？

  CMOS以控制电子、构建静态二维电路为核心；MEMS以可动三维微机械结构为核心，需关注深硅刻蚀、Gap、应力、粘连、释放、SOI和真空封装，良率变量多。两者工艺相似但本质不同：一个是造电路，一个是造机器，要求跨学科知识。

  老虎说芯

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  10/08 19:05

  mems CMOS
• 无人注意的角落，索尼CMOS缺了快一年了

  索尼CMOS供应趋紧，传统2MP安防产品停产致价格上行，工业/安防料交期延长、高端现货紧张。原因包括高端玻纤布短缺、原厂库存下降与产能偏紧，叠加汽车及工业机器视觉需求增长。因CMOS换料验证成本高，替代困难，本轮并非全面缺货，但部分型号供需错配明显。

  芯世相

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  09/23 10:53

  CMOS 索尼

  
• Littelfuse扩展全极TMR开关系列，提供引线TO-92封装选择

  TX00AT314AMA将久经考验的TX00 TMR开关平台性能引入引线式TO-92封装，为通孔装配和从原型开发到量产流程提供更多封装选择 为安全高效的电能传输提供多元化先进解决方案的领导企业Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS），今天宣布推出TX00AT314AMA全极TMR开关传感器，这是TX00 TMR开关系列的最新成员。TX00AT314AMA采用引线式TO-92封装且原产地为

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  09/22 11:28

  传感器 CMOS

  
• 圣邦微电子推出支持1.2V IO逻辑、500mA、低噪声、高精度、超低压差偏置轨CMOS稳压器SGM2037S

  SGM2037S是一款采用CMOS工艺设计的低压差线性稳压器，具有低噪声、高精度特性，可提供500mA的输出电流。其输入电压范围为0.8V至5.5V，偏置电压（VBIAS）范围为2.4V至5.5V，使能引脚支持JEDEC标准1.2V逻辑电平直接驱动，VIH = 0.71V（MIN），VIL = 0.46V（MAX），器件提供固定输出电压（0.9V至3.3V）和可调输出电压（0.8V至3.6V）两种

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  09/08 11:42

  稳压器 CMOS

  
• CIS市场变天，中国厂商是如何超越韩国的？

  法国市场调研公司Yole Group（以下简称Yole）于2026年8月发布了关于CMOS图像传感器（CIS）市场的最新调研结果。数据显示，2025年该市场规模同比增长9%，达到253亿美元，创下历史新高。

  芯世相

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  08/31 11:34

  CMOS CMOS图像传感器

  
• 一文看懂CMOS、BCD、FinFET｜芯火版图课纲全面升级

  CMOS、BCD和FinFET是模拟版图中的三大工艺，分别代表基础工艺体系、特色工艺平台和先进晶体管结构。CMOS是最基础的工艺，适用于各种模拟电路；BCD是一种集成了多种器件的工艺平台，适用于电源管理和高压应用；FinFET则是立体晶体管结构，适用于先进制程和高密度设计。掌握这些工艺的能力对于模拟版图设计师至关重要。

  芯火平台

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  08/24 09:42

  CMOS FinFET

  
• 灿芯半导体发布28nm高性能SAR ADC IP，助力高速信号链应用升级

  一站式定制点点taptap安卓及IP供应商——灿芯半导体（上海）股份有限公司（灿芯股份，688691）宣布再推模拟IP新品！公司重磅发布基于28nm CMOS工艺开发的1.8V与2.5V双版本高性能差分SAR ADC IP。两款IP均已完成全流程流片验证，并通过严格的功能与性能测试，凭借核心技术优势与场景适配能力，为通信信号链应用提供高可靠、低功耗的模拟IP解决方案，全面适配5G/6G射频收发、Wi-Fi/蓝牙基

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  08/20 18:21

  通信 CMOS
• 拿到一颗运放规格书，到底怎么判断能不能用？以 HCR521/522/524 为例

  很多工程师看运放规格书，只盯 GBW 和噪声两个数。但真正决定项目能不能成的，往往是那些被忽略的参数——偏置电流随温度的漂移、共模接近正轨时 CMRR 的骤降、容性负载下的相位裕度。 这篇文章以禾芯荣 HCR521/522/524 系列为例，拆清楚一颗中等带宽 RRIO CMOS 运放的参数到底意味着什么，以及选型时该怎么判断。 1、先定位：这颗点点taptap安卓在信号链里扮演什么角色 HCR521（单通道）、

  深圳市禾芯荣半导体有限公司

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  08/20 11:00

  传感器 CMOS
• 动能资讯 | LoRa助力无人设备突破距离与抗干扰瓶颈

  动之以芯 尽之所能 在无人机、航模、无人车及智能机器人的实际应用中，无线通信链路的稳定性与传输距离直接决定了设备的性能上限和作业安全。 传统无人设备普遍采用2.4GHz频段进行遥控和数据传输，但在日益复杂的作业环境中，传统方案正面临严峻挑战。针对这些痛点，ESP32-C3FH4 + SX1276组合打造的高性价比LoRa无线通信升级方案，为无人设备赋能。 痛点分析 虽然2.4GHz频段具有较高的带

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  08/17 10:34

  DC-DC CMOS
• XZ2170输入电压2.5-6V,输出电压20V,输出电流1.5A，CMOS升压型DC/DC

  一、产品核心概述 XZ2170是一款集成基准电压源、振荡电路、误差放大电路、相位补偿电路、电流限制电路的全集成CMOS升压型DC/DC LED驱动点点taptap安卓，专为中小功率LED升压驱动场景设计。 ‌核心硬件优势‌：内置低导通电阻增强型N沟道功率MOSFET，无需额外外接功率器件，适配高效率、高输出电流的应用场景。 ‌灵活配置能力‌：可通过外接电流检测电阻限制输出电流，也可通过FB引脚外接电阻自定义设置输

  科芯创展

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  08/17 10:12

  DC-DC CMOS
• 国产通用运放评审：ASL622S 的轨到轨与抗辐照含金量几何

  一、当信号要贴着电源轨摆动 在工业传感、电池供电设备和星载采集中，信号常常要充分利用从地到电源的整个摆幅，才能榨干 ADC 的量程、压低量化误差。可传统运放的输出离电源轨总差那么一截，单电源 5V 供电时输出可能只在 0.3V 到 4.7V 之间晃，靠近两端就削顶失真，等于白白浪费了 ADC 两端各约 6% 的量程。再加上系统要求低功耗、宽电压、还要在太空和工业现场扛得住辐射与温变，通用运放就不够

  国科安芯

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  08/14 17:09

  运算放大器 CMOS
• 国产抗辐照精密运放评测：ASL8522S 能否扛起替代

  进口精密运放虽好，但航天、核电这类场景对自主可控和抗辐照有硬性要求。国科安芯 ASL8522S 作为商业航天级双通道斩波稳零运放，常被拿来问一句：它到底能不能扛起替代？本文从评审视角，把它的指标、定位和使用红线摆清楚，供选型决策参考，也帮大家避开盲目替换的坑。 图：低功耗星载遥测多路信号链 商业航天级意味着什么 先说最硬的一栏：抗辐照。ASL8522S 的单粒子翻转 SEU 不低于 37MeV·c

  国科安芯

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  08/08 11:25

  CMOS 双通道
• 平芯微HY2120系列选型指南：CB自恢复版+充电电路方案电路图

  概述 HY2120 采用 SOT23-6L 的封装形式， HY2120 是一款基于 CMOS 的双节可充电锂电池保护电路，它集高精度过电压充电保护、过电压放电保护、过电流充电保护、过电流放电保护、电池短路保护等性能于一身。 特点 两节锂离子或锂聚合物电池的理想保护电路 高精度的保护电压（过充/过放） 检测 高精度过电流充电/放电保护检测 低供电电流 在低功耗模式， 不接充电器情况下， 可自动恢复状

  kuaqua

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  08/07 16:58

  锂电池 CMOS
• 评测：国产抗辐照双运放 ASL622S，能不能替掉进口料

  商业航天和高可靠设备的板子上，运放看似普通，真要找一颗"既够用又抗辐照"的却常常卡壳：进口抗辐照运放交期长、价格高，普通工业级料又上不了星。国科安芯的 ASL622S 就是冲着这个空档来的——一颗抗辐照双通道 CMOS 运放，单电源 2.5V 到 5.5V，增益带宽 6.5MHz，压摆率 2.9V/μs，轨到轨输出，SOP8，标称 SEU/SEL≥37、TID≥100krad(Si)。我们把它和进

  国科安芯

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  08/07 10:48

  运算放大器 CMOS
• 为什么28 nm CMOS中Contact采用钨，而Metal采用铜？

  在28nm CMOS中，Contact和Metal承担的任务不同，因此材料选择的优先级也不同。Contact靠近晶体管，孔小、深宽比高、界面敏感，通常采用CVD钨塞；Metal是长距离横向布线，低电阻、低RC延迟、低功耗，主流互连采用铜双镶嵌工艺。 **为什么Contact优先采用钨**： 1. **填充小而深的Contact孔**：钨可以通过CVD沉积，在孔底、孔壁和孔口形成连续、无空洞的导电材料。 2. **靠近晶体管的敏感区域**：钨扩散活性低，配合Ti/TiN阻挡层，更容易实现稳定的Contact整合。 3. **热稳定性**：钨具有较好的热稳定性，不易在后续温度条件下发生大范围扩散。 4. **接触较短，可接受较高电阻率**：即使钨的电阻率高于铜，但由于接触长度很短，其电阻贡献仍可能处于可接受范围。 **为什么Metal采用铜**： 1. **长互连对电阻率极其敏感**：铜体电阻率约为钨的三分之一，有助于降低长线电阻。 2. **低电阻能够明显降低互连延迟**：铜的低电阻率有助于改善RC延迟、IR Drop和动态性能。 3. **适合双镶嵌工艺**：铜可通过电镀和双镶嵌工艺形成水平Metal Line。 4. **与低k介质共同降低RC**：铜与低k介质结合，有助于降低互连的寄生电容，改善点点taptap安卓速度和功耗。 **为何不全面使用钨**： 1. **电阻过高**：钨的电阻率较高，会导致长导线电阻增加，影响逻辑路径延迟和电源网络压降。 2. **牺牲面积**：为降低电阻，需要增加线宽、线厚或减少线长，导致点点taptap安卓面积增加和设计规则复杂化。 3. **不适合长距离传输**：钨更适合短距离连接，而铜更适合长距离传输大量电流和信号。 **最终总结**：28nm CMOS选择“Contact用W、Metal用Cu”，本质上是对不同结构进行的系统优化。最关键的是在正确的位置使用最合适的材料。

  老虎说芯

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  08/04 15:50

  CMOS
• LVCMOS、CMOS与HCMOS有什么区别？晶振输出逻辑如何选择？

  ​在晶振选型时，很多工程师会重点关注频率、精度、温漂和封装，却容易忽略另一个关键参数——输出逻辑。 同样是有源晶振，为什么有的标注CMOS，有的是HCMOS，还有LVCMOS？它们之间到底有什么区别？如果输出类型选择不合适，不仅会影响系统兼容性，还可能增加功耗、引发信号完整性问题，甚至导致时钟无法正常驱动后级点点taptap安卓。 本文结合实际应用，介绍CMOS、HCMOS和LVCMOS三种常见输出方式的特点，并

  SJK晶科鑫

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  08/01 16:19

  晶振 CMOS
• 超低功耗、快速上手，英飞凌基于CMOS平台的新一代60 GHz家居雷达解析

   /美通社/ -- 随着端侧AI发展，物联网设备对感知技术也同样提出了更高的要求。在智能家居、智能楼宇以及工业物联网应用中，设备需要具备对周围环境的持续感知能力，包括人体存在检测、运动监测以及更复杂的交互行为。然而，对于大量由电池供电的物联网设备而言，如何在维持高性能感知的环境下实现超低功耗，始终是行业面临的核心挑战。传统的感知技术在处理复杂环境、功耗控制以及隐私保护等方面存在各自的局限性。英飞凌

  美通社

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  07/23 07:07

  英飞凌 美通社

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