MOSFET

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金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称上包括NMOS、PMOS等。

金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称上包括NMOS、PMOS等。收起

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  • 解决电源的系统性故障——第一部分:利用输出放电
    摘要 在电气、电子及可编程电子(E/E/PE)安全相关系统中,电源模块作为关键支撑元件,对系统平稳地转入安全状态起着至关重要的作用。通过提高此类模块的稳健性和系统能力,可以消除相关的系统性故障。本系列的第一部分针对与输出放电相关的常见系统性故障,讨论了三种电源解决方案。 引言 电源模块在电子系统中提供了最关键的功能之一,因为它们的行为影响系统在不同工作模式(启动、关闭、稳态运行)下的表现以及发生故
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    专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售Vishay Intertechnology的新款VS-HOT200C080 200A 80V功率MOSFET模块。VS-HOT200C080是一款集成器件,可节省空间、降低导通损耗并提高可靠性,适用于轻型电动汽车 (LEV) 中的48V牵引逆变器,以及轻度混合动力电动汽车 (MH
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  • 详解 Cascode SiC JFET 在 LLC 中的应用:优势与 dv/dt 控制
    共源共栅碳化硅结型场效应晶体管(Cascode SiC JFET,简称 CJFET)兼具高耐压、低导通损耗、开关速度快及栅极电荷低(0−12 V 栅极驱动)等优势,在 LLC 谐振变换器中极具应用潜力。然而,其关断时较高的电压变化率(dv/dt)易激发持续振铃,导致电压过冲、电磁干扰(EMI),极端情况下甚至引发振荡。尤其在高于谐振频率的工况下,初级侧开关电流往往较大(例如 750 V 器件可达
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  • 为什么不建议MCU 直驱MOSFET?
    MCU直接驱动MOSFET通常不可靠:IO电流小导致栅极充放电慢、发热;3.3V/5V电压可能无法完全导通;高端驱动需自举或驱动点点taptap安卓;栅极振铃、米勒效应和地弹可能引发误导通或损坏MCU;也缺少UVLO、过流保护。仅低频小电流、低端、逻辑电平管可勉强直驱,仍建议加保护元件或使用驱动电路。
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