Qorvo GaN产能即将实现翻倍
中国北京，2015年9月15日 – 移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中RF解决方案的领先供应商Qorvo, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布，已成功地将专有的碳化硅(SiC)基QGaN25氮化镓(GaN)工艺技术扩展用于在6英寸晶圆上生产单片微波集成电路(MMIC)。预计从4英寸过渡到6英寸晶圆，大约能使Qorvo公司的碳化硅基氮化镓生产能力增加一倍，并且有利于降低制造成本 - 对价格实惠的射频器件生产，能起到显著的推进作用。
“在6英寸晶圆上实现碳化硅基氮化镓单片微波集成电路，为显著提高生产能力和成本效益铺平了道路”，Qorvo公司的基础设施和国防产品部(IDP)总裁James Klein表示。“这是一个重要的里程碑，巩固了Qorvo在商业和国防市场提供一流工艺和GaN产品的领导地位。”
Qorvo成功地证明，其高产、X波段功率放大器(PA)单片微波集成电路(MMIC)的QGaN25生产工艺可成功地从4英寸扩展到6英寸碳化硅基氮化镓晶圆。这同样有助于将公司的所有碳化硅基氮化镓生产工艺转换到6英寸晶圆，栅极长度范围为0.15 um至0.50 um，涵盖整个微波至mmW应用领域。预计将于2016年实现全面生产。
12瓦X波段的点对点MMIC功率放大器，符合80%以上的直流和射频收益率要求，引领行业发展。这一工艺可行性为高速生产商用收发器基站(BTS)和点对点无线电、CATV及国防产品奠定了基础。
晶圆尺寸扩展进一步巩固了其作为美国国防部制造电子局认可的1A类供应商（1A Trusted Source）的领导地位。Qorvo于2014年圆满完成DPA Title III碳化硅基氮化镓项目，是首个达到制造成熟度(MRL)9级的公司，表明其高性能制造工艺可以投入全面生产。
美国国防部的制造成熟度评估(MRA)确保制造、生产和质量要求能够满足作战任务需求。该过程确保产品或系统从工厂顺利过渡到现场，为客户提供最高的价值，并满足全部性能、成本和产能目标。
欲了解Qorvo的更多详情，请关注Qorvo官方微博（Qorvo半导体）及微信（Qorvo）。
Qorvo简介
Qorvo (Nasdaq: QRVO) 是面向移动、基础设施和航天航空/国防应用提供核心技术与射频解决方案的领先供应商。由RFMD与TriQuint合并组建而成，Qorvo在全球拥有6000多名员工，致力于为实现全球互联的各种应用提供解决方案。Qorvo拥有业内最广泛的产品组合和核心技术；还有通过ISO9001、ISO 14001和ISO/TS 16949认证的世界级生产厂。如欲了解该行业领先的核心射频解决方案，敬请访问: cn.qorvo.com。
Qorvo微信公众号： Qorvo
Qorvo微博： e.weibo.com/triquint
Skyworks（纳斯达克代码：SWKS）已于2026年10月5日正式完成与Qorvo的合并，Qorvo现已成为Skyworks旗下企业。即日起，本公众号由「Qorvo 半导体」正式更名为「Skyworks 思佳讯」。
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Skyworks（纳斯达克代码：SWKS）10月5日宣布已成功完成与Qorvo的合并。此次交易的完成，打造了一家总部位于美国，在高性能射频（RF）、电源管理，以及模拟与混合信号半导体解决方案领域处于全球领先地位的企业。
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