Qorvo® 新款GaN 50V 晶体管可 大幅提升系统功率性能
不断壮大的 GaN 系列的最新成员，专门用于提升雷达、通信及航空电子等系统的功率
中国，北京 – 2016年6月2日 – 移动应用、基础设施与航空航天、国防等应用中领先的RF解决方案供应商Qorvo, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布，推出六款全新50V氮化镓（GaN）晶体管---QPD1009和QPD1010，以及QPD1008（L）和QPD1015（L），专门设计用于优化商业用雷达、通信系统及航空电子应用的功率性能。
Qorvo 国防与航空航天产品总经理Roger Hall表示：“全新50V GaN晶体管系列通过提供更高功率增益和功率附加效率来提升系统性能。Qorvo可以更好地实现相位阵列雷达等先进设备的要求，提供更高性能，同时管理好尺寸、成本和功率。”
Qorvo的全新50V GaN晶体管系列可通过更出色的系统级效率大幅节省操作和系统成本。该系列采用小尺寸和较高阻抗输入/输出引线，可帮助优化雷达、通信、航空电子、宽带放大器和测试仪表的电路板设计。
QPD1009和QPD1010现在采用低成本的3x3mm QFN塑料封装，而QPD1008（L）和QPD1015（L）现在则采用行业标准的热性能增强型NI-360气腔陶瓷封装，提供有耳式和无耳式版本。该GaN晶体管系列的工作功率水平为 10W至125W。
Qorvo是全球领先的GaN RF供应商*。自1999年起，Qorvo 就一直在推动GaN研究和创新，提供经过检验的GaN电路可靠性和紧凑型、高效率产品。Qorvo于2014年完成了GaN on SiC计划。公司还是唯一一家达到制造成熟度（MRL）9级的GaN供应商。Qorvo一直推动GaN产品的下一代系统创新（从直流到Ka频段），凭借其可靠性能、低成本维护和长运行寿命，成功实现从工厂到现场的转变。
关于Qorvo
Qorvo (Nasdaq: QRVO)是移动应用、基础设施与航空航天、国防等应用中领先的RF解决方案供应商。Qorvo致力于为实现全球互联的各种应用提供解决方案，并拥有业内最广泛的产品组合和核心技术；通过ISO9001、ISO 14001和ISO/TS 16949认证的世界级工厂；面向砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)、体声波(BAW)产品与服务并经过美国国防部(DoD)认可的“可信任供应商”（1A级）。Qorvo的调制器驱动器、TIA 和线性驱动器广泛应用于全球的许多10、40和100+G 光学系统中。这些器件不仅可支持更高数据速率所需的尺寸、功率和性能，而且还满足新一代光纤网络的高线性度要求。
如欲了解更多领先的核心射频解决方案，敬请访问: www.qorvo.com
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漆惠Fay Qi 乔治George Qiao
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GaN功放与大规模MIMO阵列协同需平衡功放效率与通道幅相一致性。数字预失真辅助功放工作在近饱和区，GaN在回退区效率衰减平缓。幅相校准补偿通道离散性和温度漂移，混合波束成形兼顾灵活性与功耗。优化框架在覆盖与容量约束下最小化总功耗，动态偏置和通道关断进一步节能。测试表明该协同在覆盖与能效间取得平衡。
GaN射频器件高功率工况下沟道温度预测需建模从有源区到散热器的多层级热阻路径，碳化硅衬底和界面热阻是关键因素。预测采用热阻网络与有限元仿真结合，散热优化从器件布局、衬底减薄、焊接材料和系统散热协同推进。温度间接测量通过电学参数与外壳温度融合提高可靠性。测试标定热阻参数并验证优化效果，为高功率密度下的可靠运行提供保障。
氮化镓功率放大器凭借高击穿电压与效率特性，在大规模多输出系统中实现每通道低功耗高效运行。三维异构集成缩小射频前端体积，被动散热降低部署难度。两者融合从器件到系统层面，成为6G基站高能效覆盖的核心技术路径。
氮化镓功率器件与有源滤波器协同，通过联合匹配与热集成设计，提升基站射频前端能效。氮化镓提供高效率运行基础，有源滤波器以低插入损耗补偿失真，系统级优化降低总功耗，为基站射频系统提供可行的能效革新路径。
面向6G，氮化镓射频前端提供高功率与高效率，超大规模MIMO天线实现高空间复用。两者通过混合波束赋形架构与热管理协同演进，解决集成度与能耗挑战，形成系统级能效优化路径，为6G部署奠定工程基础。
