5G基础设施建设市场迎来机遇,Qorvo透露了这一积极信号

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随着市场的发展,5G已经呼之欲出,基础设施市场的机会也在逐年增加,其中MIMO PA年复合增长率将达到135%,射频前端模块的年复合增长率将达到119%。

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面对巨大的市场潜力,Qorvo在IDP(Infrastructure & Defense Products)领域一直秉承着推动可持续发展的战略,提供最新的产品和技术,与客户建立一种互惠互利的关系,以达到共赢。近日,Qorvo IDP 高性能解决方案事业部总经理Roger Hall便与诸多媒体共聚一堂,分享了Qorvo在基础设施领域最新的产品与技术动态。 

 

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Qorvo IDP 高性能解决方案事业部总经理Roger Hall答记者问

 

全线射频技术布局,提供更高整合度解决方案

Roger指出,5G时代的技术发展其中很大部分是由Qorvo所推动,在现有基站基础上发展起来的,能够帮助消费者实现更高效的设备使用。此外,Qorvo还可以给无线电提供新的RF产品,希望能和客户共同开发集成式/系统级的解决方案,降低他们的成本,包括移动设备解决方案。

同时,RF产品还需要尽可能的绿色环保,因为降低功耗也是消费者的需求之一。目前,硅基技术已经很成熟了,但Qorvo希望能够选择更绿色低能耗的解决方案,如何把RF元件整合于一个系统十分关键,Roger在分享中也一直在强调“系统解决方案”的重要性。他认为Qorvo不仅只是提供产品,更重要的是要帮助客户找到最好的解决方案。因为射频系统非常复杂,尤其是那些需要使用高载波频率和宽频带的新技术,包括载波聚合,massive MIMO以及5G。为了让RF器件更好地工作在一个系统中,Qorvo在先进封装技术上投入很大,同时也在提高点点taptap安卓的集成度以帮助客户在一块点点taptap安卓上集成更多器件,如此一来,客户在使用这些器件时就会简单许多。

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作为全球技术领先的IDM大厂,Qorvo确实有实力为客户提供完整的解决方案。目前,Qorvo的产品种类已经全面覆盖使用多种工艺(GaN,GaAs等)实现的功放,收发器,LNA,射频开关,以及BAW和SAW滤波器。每一个产品种类下都有丰富的产品型号,并在射频链路中占据重要地位。除了有先进的技术研发外,Qorvo还拥有独立的封装厂和制造厂,有利于控制成本和稳定质量,加快高集成度产品的研发进度。 

 

5G来临,GaN将在射频应用中脱颖而出?

谈及5G应用,Roger指出了三大不同领域:提升了的移动宽带、大规模物联网与关键业务服务,每一个领域都会有不同的应用方向,会使用不同的部署方案。他举例说到,在中国消费者会更关注如何来提升自己的效率和生产率,而美国可能会更关注如何提升用户体验。正是由于不同国家有不同的需求,Qorvo在全球的产品与方案部署上也会有所侧重。

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不过,毋庸置疑的无论是在中国还是美国,运营商们都在紧锣密鼓加速部署5G,在这个领域也有许多不同的技术与解决方案。据Roger介绍,未来5G基站的天线口等效功率(EIRP)为65dBm,那我们则可以通过PA功率—天线阵列有源元件图曲线了解不同技术方案所需要的元件数量,推测在什么条件下使用氮化镓,砷化镓,锗化硅等,也可以看到在哪种解决方案可以得到最低的功耗,然后选择出合适的技术。

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如果利用不同材料的MIMO天线图进行对比更加直观:SiGe基MIMO天线有1024个元件,裸片面积为4096平方毫米,辐射功率是65dbm;如果利用GaN基MIMO天线,功耗能够减少40%,裸片面积减少94%,而成本也能减少80%。实际上,Qorvo一直在为帮助消费者选择合适的技术解决方案而不断努力。

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Q:目前市场上的GaN功率组件以GaN-on-SiC及GaN-on-Si两种晶圆进行制造,两者如何选择?Qorvo是如何布局的?

 

A:Roger:Qorvo没有反对碳基、硅基氮化镓,但是现在会更倾向于碳化硅基氮化镓作为将来发展的方向,如果生产量上去的话,成本应该能够降下来。Qorvo也始终把自己当做一个很好的中间商,希望找到最低的成本,最高效的技术,并把它整合为集成式的系统解决方案,为用户带来最好性能的整合以及技术核心。

 

此前,Qorvo推出了业界首款适用于 39GHz 5G 频段的碳化硅基氮化镓 (GaN-on-SiC) 前端模块 (FEM) 。这款 FEM 设计独特,在小尺寸里集成了两个强大的多功能 GaN MMIC,解决了电信设备制造商在设计 5G 基站时面临的复杂挑战。

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现在,Qorvo也在积极向市场推出28GHz的前端模块。据Roger介绍,该前端模块更大可能应用于基站,因为GaN所要求的工作电压远大于手机电压,所以不太可能用作手机功放,但Qorvo也正在积极思考是否能够找到合适的技术并且将GaN运用至更广泛的领域。

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