Qorvo® 发布 TOLL 封装的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs

发布时间：2023-04-17 10:15:35

来源：RF技术社区 (https://rf.eefocus.com)

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全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo 将展示一种全新的表面贴装 TO- 无引线（TOLL）封装技术，用于其高性能 5.4（mΩ）750V SiC FETs。这是 TOLL 封装中发布的 750V SiC FETs 产品系列中的首发产品，其导通电阻范围从 5.4 mΩ 到 60 mΩ。这些器件非常适用于受空间限制的应用场景，如从几百瓦到千万瓦的交流 / 直流电源以及高达 100A 的固态继电器和断路器。

在 600/750V 功率 FETs 类别中，Qorvo Gen 4 SiC FETs 在导通电阻和输出电容的主要品质方面的性能堪称无与伦比。此外，在 TOLL 封装中，这些器件具有 5.4 mΩ 的导通电阻，比目前市场同类产品中最佳的 Si MOSFETs、SiC MOSFETs 和 GaN 晶体管还要低上 4-10 倍。SiC FETs 的 750V 额定电压也比其它的一些替代技术高 100-150 伏，为管理电压瞬变提供了显着增强的设计余量。

Qorvo 电源器件事业部首席工程师 Anup Bhalla 表示：“在 TOLL 封装中推出我们的 5.4 mΩ Gen4 SiC FET 旨在为行业提供最佳性能器件以及多种器件选择，为此我们已迈出重要的一步，尤其对于从事工业应用的客户，他们需要这种灵活性和提升成本效益的电源设计组合。”

TOLL 封装的尺寸相比 D2PAK 表面贴装器件减少 30％，高度为 2.3 毫米，相当于同类产品的一半。尽管尺寸缩小，但先进的制造技术实现了从结到壳的行业领先的 0.1°C/W 热阻。直流电流额定值为 120A，最高可达 144°C，脉冲电流额定值为 588A，最高可达 0.5 毫秒。结合极低的导通电阻和出色的瞬态热行为，产生了比相同封装中的 Si MOSFET 好 8 倍的 'I2t' 评级，这将有助于提高鲁棒性和免疫性，同时也简化了设计。TOLL 封装还提供了 Kevin 源连接以实现可靠的高速转换。

这些第四代 SiC FET 利用 Qorvo 独特的串联电路结构，将 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装在一起，实现宽禁带开关技术的全部效率和 Sic MOSFET 简化门级驱动。

现在可使用 Qorvo 免费在线工具计算 TOLL 封装的 Gen4 5.4 mΩ SiC FET，该计算器可以立即评估各种交流/直流和隔离/非隔离的 DC/DC 转换器拓扑连接的效率、元器件损耗和结温上升。可将单个和并联的器件在用户指定的散热条件下进行对比，以获取最佳解决方案。

如欲了解更多 Qorvo 电源应用的先进解决方案，请访问 https://www.qorvo.com/innovation/power-solutions。

关于 Qorvo

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本文转载自Qorvo半导体微信公众号