UnitedSiC 推出第 2 版 FET-Jet 计算器，性能迈向新高度

发布时间：2023-05-19 13:52:34

来源：RF技术社区 (https://rf.eefocus.com)

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进行功率设计时，如何选择合适的部件可能非常棘手，有时还让人极度烦恼。对于 SiC FET 和 SiC 肖特基二极管，利用 FET-Jet 计算器（第 2 版）可以帮您免除盲目猜测的烦恼。阅读本博文，深入了解这款灵活便捷的工具，帮助您选择器件并查看其性能，快速准确地一次敲定设计。

这篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 发布，该公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家领先的碳化硅 (SiC) 功率半导体制造商，它的加入促使 Qorvo 将业务扩展到电动汽车 (EV)、工业电源、电路保护、可再生能源和数据中心电源等快速增长的市场。

如果您尚未找到合适部件，UnitedSiC 的免费网页式 FET-Jet 计算器可以为您带来启示，帮助您选择满足相关功率设计需求的 SiC FET 和 SiC 肖特基二极管。您只需从下拉菜单中选择想要使用的 AC-DC 或 DC-DC 转换器拓扑结构，可以是隔离型或非隔离型。然后，就可以自动无缝地在连续、临界或非连续模式之间切换。只需设置输入、输出和所需功率，就可以选择 UnitedSiC 提供的系列 SiC FET 和肖特基二极管。该工具可立即计算出整体效率、组件损耗（分为动态损耗和传导损耗）以及电流应力水平。您甚至可以指定并联器件、多个转换器“支路”和外部散热器性能，以便预测结温。

全新的第 2 版计算器进一步简化了 SiC FET 和肖特基二极管的选择过程，并且转换器类型中可选的拓扑结构数量增加了一倍，达到了 26 种。

在第 2 版中，损耗和温升以条形图形式呈现，以便即时直观地显示传导损耗、导通损耗和关断损耗。还新增了一个非常实用的功能：可针对不同器件和驱动电压提供栅极电阻 RGon 和 RGoff 建议，并且提供建议缓冲组件值，以优化电压过冲控制。

图 1：FET-Jet 可选的转换拓扑结构

计算器中的新拓扑结构也带来了一些额外的选择。比如，针对 AC-DC 区域中复杂的 “三级 ANPC 电压源型逆变器” 拓扑结构，计算器支持选择 PWM 策略：LF middle、HF middle 和 Max ON，同时还有三种调制方案可供选择：正弦-三角波、空间矢量和 60° 不连续 PWM。并联器件数量以及部分拓扑结构中的支路/相位数量都无限制地增加。请试着点击数量，查看条形图的动态变化情况，了解其优势以及损耗和温度的变化趋势。无需担心，如果选择无效，计算机中会出现警告提示。其他新功能包括：部件标记解码器的链接、指示性波形图，还新增了以 PDF 文件格式下载计算器结果的选项，以便您保存记录。

FET-Jet 计算器（第 2 版）工具经过改良，可迅速查看所选器件的性能，帮助您正确选择器件，快速准确地一次敲定设计。该工具会定期更新 UnitedSiC 的最新部件，包括在硬开关和软开关拓扑结构中具有出色性能的第 4 代 SiC FET。我们清楚您的需求，还可以让工程师选择极为夸张的组合，比如：在升压转换器设计 50 个支路和并联 1000 个 FET。无需注册，请尽情使用！

本文转载自Qorvo半导体微信公众号