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氮化镓
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2026-09-18 11:28:00
[文章]
氮化镓(GaN)车载OBC：高功率密度与双向充电协议演进解析
2026-06-10 10:37:00
[文章]
面向6G的氮化镓射频前端模组深度剖析：共存干扰抑制、天线一体化与热管理
2026-05-22 10:35:00
[文章]
氮化镓功率器件在6G基站射频系统中的性能与应用探索
2026-03-18 10:54:07
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宽禁带半导体材料在射频功率放大器中的应用
2026-02-14 11:24:00
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氮化镓时代：宽禁带半导体如何重塑射频功放的性能极限？
2025-12-15 21:14:30
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突破硅的极限：半导体氮化镓如何重塑5G基站功率放大器
2025-10-14 09:39:00
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超越硅的极限：GaN如何驱动电源向“小型化、高效率”革命？
2025-10-11 16:45:46
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宽禁带半导体引领射频新时代：氮化镓器件的高功率、高效率解析
2025-09-25 15:08:58
[文章]
高频、高效、小体积：氮化镓如何重塑电源模块设计
2025-09-22 17:16:26
[文章]
从硅到氮化镓：GaN HEMT如何突破传统射频器件的性能极限
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