先进封装

前言：晶圆价格月度涨幅突破两位数，HBM产能规划直达2027年，在这股存储浪潮的汹涌拍打下，一道关乎点点taptap安卓最终性能与可靠性的隐秘关卡正浮出水面。 三星、SK海力士相继宣布上调明年HBM价格近20%，中芯国际部分产能涨价约10%……存储市场的价格曲线陡然上扬。 与此同时，SK海力士M15X晶圆厂紧锣密鼓地推进，目标直指2027年中期满负荷生产HBM3E/HBM4。在这股扩产浪潮中，一个常被忽视却至关重

瑞沃微完成数千万元A轮融资，将化学I/O键合首次引入半导体先进封装领域，推出面板级常温、无压、铜-金化学I/O键合技术，解决传统封装痛点，应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等多个领域。

本文介绍了从铜缆到CPO的算力互联技术演进过程，详细阐述了光模块、NPO和CPO的不同阶段和技术特点，强调了3D硅光子技术和先进封装在提高带宽密度和能效中的作用。

在全球人工智能浪潮以排山倒海之势重塑各行各业之际，作为数字世界基石的半导体产业，正站在一个前所未有的爆发临界点上。 近日，台积电（中国）总经理罗镇球先生在ICCAD Expo 2025上分享了台积电对半导体产业发展趋势的深刻理解和洞察，并首次系统性阐述了台积电为迎接“AI时代”所构建的“云-管-端”全栈技术战略。他指出，“由AI驱动的算力革命正推动半导体产值将在2030年轻松突破万亿美元大关，而台

NHanced宣布在美国北卡罗来纳州启动Besi Datacon 8800 CHAMEO ultra plus混合键合系统的量产，标志着混合键合技术从实验室迈向大规模制造。NHanced作为唯一支持铜(Cu)与镍(Ni)互连的多材料混合键合代工厂，其DBI®室温混合键合工艺实现了介质层共价键合与金属间直接互连，适用于高性能计算(HPC)、人工智能(AI)、射频(RF)及光子器件等领域。NHanced进一步扩展DBI®工艺，支持多种材料体系的异构集成，包括氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、铌酸锂(LiNbO₃)、玻璃及金刚石衬底。混合键合技术不仅提升了点点taptap安卓间的互连密度、延迟与能效，还推动了Chiplet架构的发展，使其成为系统级集成的关键工艺。