MOSFET

• 菜鸟选择MOSFET的四步骤！

  一位工程师曾经对我讲，他从来不看MOSFET数据表的第一页，因为“实用”的信息只在第二页以后才出现。事实上，MOSFET数据表上的每一页都包含有对设计者非常有价值的信息。但人们不是总能搞得清楚该如何解读制造商提供的数据。本文概括了一些MOSFET的关键指标，这些指标在数据表上是如何表述的，以及你理解这些指标所要用到的清晰图片。像大多数电子器件一样，MOSFET也受到工作温度的影响。所以很重要的一点

  时科

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  MOSFET
• MOS管开关时的米勒效应！

  米勒平台是MOSFET栅极驱动过程中的一种现象，表现为在MOSFET开通初期，Vgs电压上升缓慢并形成平台。这是由于米勒效应导致的，即栅极电容Cgd在MOSFET开通瞬间通过漏极电容Cds进行充电，造成Vgs电压上升延迟。这种现象会导致开通损耗增加，并影响MOSFET的开关速度。为了减小米勒效应的影响，通常会在栅极和源极间添加额外电容，但这样做会延长开关时间。

  时科

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  01/13 09:26

  MOSFET MOS管
• 英飞凌 CoolMOS 8 为长城电源的电源技术系统性能优化树立了新标杆

  全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）凭借其硅基功率 MOSFET 技术 CoolMOS™，正在推动服务器电源管理领域的创新，助力打造能够满足数据中心严苛要求的高性能电源解决方案。英飞凌的600V CoolMOS™ 8高压超结（SJ）MOSFET 产品系列，助力长城电源技术有限公司在更高功率等级的电源中实现更高的功率密度与更卓

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  01/08 09:43

  英飞凌 碳化硅

  
• Diodes 公司推出超低 VCE(sat) NPN与 PNP 双极型晶体管

  Diodes 公司（Diodes）（Nasdaq: DIOD）宣布推出 DXTN/P 78Q与80Q系列，扩充符合汽车规范的双极型（Bipolar）晶体管产品组合。这两个系列是超低 VCE(sat) NPN与PNP晶体管，提供业界领先的传导效率与热性能，针对高要求的汽车电源开关与控制进行优化。 两个系列的十二款高性能器件支持广泛的电压范围，适用于12伏、24伏和48伏汽车系统。这些器件适用于栅极驱

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  01/06 10:00

  MOSFET 晶体管

  
• IGBT/SiC MOSFET 工业级并联设计准则：电流均衡四大核心维度实操指南

  IGBT 与碳化硅（SiC）MOSFET 并联是提升功率系统输出能力的核心方案，但其核心痛点是静态 / 动态电流不均衡，可能引发器件热失控、寿命缩短甚至烧毁。工业级设计的关键的是通过 “器件参数匹配、电路拓扑对称、驱动同步控制、热管理均衡” 四大维度，将电流不均衡系数控制在 10% 以内，同时适配两者特性差异，确保高功率场景下的可靠性。

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  2025/12/31

  MOSFET IGBT
• 技术干货丨使用REXFET MOSFET降低RDS（on）

  瑞萨电子的REXFET-1工艺通过分离栅结构和超结技术改进，实现了更低的导通电阻和更高效的开关性能，适用于大电流应用。该工艺降低了导通损耗和散热，提高了功率密度，并且具备低栅极电荷和电容，优化了开关特性。REXFET-1器件在BLDC电机驱动系统中表现出了良好的性能，特别是在电压振荡和尖峰方面优于竞品器件，同时提供了多种封装选项以适应不同应用需求。

  瑞萨电子

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  2025/12/31

  MOSFET
• 专为12 V电池防反接设计的保护器件TPSMB非对称瞬态抑制二极管

  创新设计使系统能够采用额定值较低的MOSFET或二极管，同时确保可靠的保护功能，非常适合各种需要12V电池防反接保护的汽车应用 Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今天宣布推出TPSMB非对称系列 瞬态抑制二极管 (TPSMB2412CA, TPSMB2616CA, TPSMB2818CA, TPSMB3

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  2025/12/23

  MOSFET ESD

  
• 为何最低RDS(on)的MOSFET，不一定是快速开关的最佳选择？

  在高频应用中，选择RDS(on)最低的MOSFET可能会带来意想不到的问题，因为实际使用条件下的性能可能远低于预期。工程师应综合考虑栅极电荷、电容比值和封装热路径等因素，而不仅仅是依赖数据手册。

  Diotec德欧泰克半导体

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  2025/12/17

  MOSFET

  
• 安森美与佛瑞亚海拉深化战略合作，共同推进新一代电源技术发展

  安森美（onsemi，纳斯达克股票代码：ON）宣布，公司与佛瑞亚海拉（FORVIA HELLA）深化长期战略合作，将在其先进汽车平台全面采用安森美的PowerTrench® T10 MOSFET技术。这项新签订的长期协议将强化双方合作，助力企业在未来十年汽车产业转型浪潮中持续提供创新解决方案。 安森美PowerTrench® T10 MOSFET技术凭借超低导通损耗与开关损耗实现了业界领先效率，既

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  2025/12/12

  MOSFET 电阻
• MDD辰达半导体荣获“国产功率器件行业优秀奖”，聚焦高效能源发展

  12月6日，亚洲电源技术发展论坛在深圳万丽酒店隆重举行。作为国内领先的半导体解决方案供应商，MDD辰达半导体携旗下六大产品矩阵精彩亮相，集中展示了整流器件、小信号器件、保护器件、MOSFET、SiC、逻辑IC产品，与行业专家、合作伙伴共同探讨电源技术发展趋势与应用实践。 一、技术交流，共谋发展 在展会现场，MDD团队与众多来访者进行了深入的技术交流，针对客户在高效电源设计、系统可靠性提升、小型化与

  MDD辰达半导体

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  2025/12/11

  半导体 MOSFET
• Xiaomi Gallium Nitride Charger Teardown

  NOTE：Click here for the Chinese version. Remember Xiaomi's first-generation compact 33W GaN charger? With its small size and powerful performance, its biggest highlight was increasing the power densit

  曹顺程

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  2025/12/10

  拆解 MOSFET

  
• Diodes 公司推出 5.5V、4A、低 IQ 同步降压转换器

  Diodes 公司（Diodes）（Nasdaq: DIOD）推出 AP61406Q，一款全新 5.5V、4A、低静态电流（IQ）且符合汽车标准的同步降压转换器，具备 I2C 接口。此 I2C 接口允许编程多种参数，从而满足各种汽车负载点（POL）应用对于紧凑设计与高效率日益增长的需求。应用包括：信息娱乐系统、仪表盘、车载信息服务和高级驾驶辅助系统（ADAS）。 AP61406Q 的一个关键优势是

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  2025/12/09

  MOSFET Diodes

  
• Littelfuse推出采用SMPD-X封装的200 V、480 A超级结MOSFET

  新型X4级器件在简化热设计，提高效率的同时减少了储能、充电、无人机和工业应用中零部件数量。 Littelfuse公司 （NASDAQ：LFUS）是一家多元化的工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出 MMIX1T500N20X4 X4级超级结功率MOSFET。这款200 V、480 A N通道MOSFET的导通电阻RDS(on)极低，仅为1.99 mΩ

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  2025/12/09

  MOSFET 无人机

  
• 安森美推出新型散热封装技术，提升高功耗应用能效

  顶部冷却（Top-cool）封装为电动汽车、太阳能基础设施和储能系统带来卓越的散热性能、可靠性及设计灵活性 安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)宣布推出采用行业标准T2PAK顶部冷却封装的EliteSiC MOSFET，为汽车和工业应用的电源封装技术带来突破。这款新品为电动汽车、太阳能基础设施及储能系统等市场的高功率、高电压应用提供增强的散热性能、可靠性和设计灵活性。 安森美采用T2

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  2025/12/05

  MOSFET 安森美

  
• Teardown of a Tesla-specific Expansion Dock

  NOTE：Click here for the Chinese version. Tesla Model 3/Y originally comes with a limited number of USB-C ports, making it difficult to meet the charging and data transfer needs of multiple devices sim

  曹顺程

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  2025/11/28

  拆解 MOSFET

  
• 多通道PMIC用作单输出大电流PMIC

  作者：Sai Chaithanya Kaipa，产品营销 Ye Fan，产品应用 摘要 当今的电子器件，尤其是高性能处理器和FPGA，对电力的需求不断攀升。在此背景下，电源管理解决方案必须不断进化，以提供更高的电流并确保设计灵活性。本文探讨了如何将多通道电源管理集成电路(PMIC)用作单通道大电流电源。并联多个稳压输出可以提升总电流能力，同时保持严格的电压调节和热平衡。这种技术不仅简化了电源架构，

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  2025/11/24

  MOSFET PMIC

  
• “中国芯”再突破！爱仕特第四代SiC MOSFET斩获国家级大奖

  11月14日，2025年“中国芯”优秀产品征集结果揭晓，爱仕特自主研发的第四代SiC MOSFET点点taptap安卓（型号：ASC150N1200MT4）从全国303家企业、410款参赛产品中脱颖而出，获评“优秀技术创新产品” 大奖。 这一奖项的含金量在于，“中国芯”评选在工业和信息化部指导下，由中国电子信息产业发展研究院组织举办，已成为国内集成电路领域最具影响力的行业盛会之一。 爱仕特此次获奖，不仅代表企业自

  爱仕特科技

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  2025/11/19

  SiC MOSFET
• 华芯微国产汽车点点taptap安卓MOSFET 驱动器系列（篇一）

  一、HRMD2110PMCC 型高低边MOSFET 驱动器 1.1产品介绍 HRMD2110PMCC 高压高速功率MOSFET 与IGBT 驱动器采用独立高低侧参考输出通道设计，搭载专有HVIC 技术及抗闩锁CMOS 工艺，实现模块化单片集成。逻辑输入兼容标准CMOS 或LSTTL 输出（低至3.3V 逻辑电平），输出驱动器配备高脉冲电流缓冲级，有效抑制驱动器交叉导通现象。信号传输延迟经过精密匹配

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  2025/11/18

  MOSFET 驱动器

  
• 贸泽电子授权代理安森美丰富的半导体和电子元器件产品组合

  专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售安森美 (onsemi) 的最新授权产品与解决方案。贸泽拥有超过22,000种授权元器件可供订购，其中包括超过17,000种现货库存可随时发货，并提供广泛的安森美技术帮助买家和工程师将产品推向市场。安森美的智能电源和传感解决方案可用于多种应用，包括车辆电气化和安全、工业自动化、可持

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  2025/11/17

  贸泽电子 MOSFET

  
• MOSFET的栅极开启电压只有2V，那为什么要用10V去驱动它？

  文章主要解释了为何在实际应用中，即使MOSFET数据手册中标注的栅极开启电压仅为2V，却常采用10V甚至更高电压进行驱动的原因。首先，为了降低导通电阻RDS(on)，提高开关效率；其次，为了缩短开关转换时间，减少开关损耗，尤其是在高频应用中。

  硬件那点事儿

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  2025/11/14

  MOSFET

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