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Qorvo GaN产能即将实现翻倍
动应用、基础设施与航空航天、国防应用中RF解决方案的领先供应商Qorvo今日宣布，已成功地将专有的碳化硅(SiC)基QGaN25氮化镓(GaN)工艺技术扩展用于在6英寸晶圆上生产单片微波集成电路(MMIC)。预计从4英寸过渡到6英寸晶圆，大约能使Qorvo公司的碳化硅基氮化镓生产能力增加一倍，并且有利于降低制造成本 - 对价格实惠的射频器件生产，能起到显著的推进作用。
高性能射频滤波器是启用4G系统的关键？
随着智能手机和平板电脑等设备的增多，频谱变得日益拥挤，射频前端的射频滤波器也随之不断增加。这一趋势正在推动通信设备整体射频 TAM 的发展。是的，高性能射频滤波器成了启用LTE和TDD-LTE系统的关键所在。
Qorvo成为美国标普 500成份股以及费城半导体指数 (SOX) 成份股
移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中RF解决方案的领先供应商Qorvo于2015 年 6 月 9 日Qorvo™成为标准普尔 500（标普 500）成份股，这是世界上认可度最高的股票指数之一。标普 500 指数由在纽约证交所和纳斯达克股票市场上市的市值最高的 500 家美国大型公共公司组成。标普 500 公司被认为是主导产业中的领先公司。
Qorvo公司被大都会科技商业委员会 (MTBC) 授予企业创新奖
Qorvo在美国当地时间8月21日（星期五）举行的Tech Titans 15周年庆典上获得企业创新成就奖。Tech Titans大奖旨在表彰德克萨斯州北部4000多家科技公司中的尖端领导者，由德克萨斯州最大的科技贸易协会--大都会科技商业委员会(Metroplex Technology Business Council, MTBC)组织颁发。Qorvo因在德克萨斯州理查森市大力研发RF解决方案，积极推动投资活动，而荣获该奖项。
“4G+”来了： RF前端设计，灵活性、快速交付如何权衡
随着中国电信、中国移动相继宣布推出“4G+”网络，“4G+”终端顺其自然的进入我们的视野。LTE-A、双卡、全模等需求的提出均对手机支持频段和无线性能提出了更高的要求，其技术实现也更为复杂。从LTE到LTE-A演进过程中，载波聚合的重要性也逐渐凸显。对于全模、LTE-A终端的射频前端设计与技术实现方案成为各方焦点，此外，手机等终端类产品的快速上市、尺寸减小等设计问题依然存在。
Modelithics 和 Qorvo 大力扩展 GaN RF 仿真模型库
Modelithics和 Qorvo 宣布，近期将扩展用于 Qorvo GaN 晶体管的 Modelithics™ 高精度非线性模型库。当前的 GaN 模型版本 (v1.5) 广受欢迎并具有 29 种封装器件及裸点点taptap安卓晶体管模型。新计划将增加20逾种新型 Qorvo GaN 晶体管模型。
Qorvo与约翰斯·霍普金斯设计空间技术合作开展新视野号冥王星探索飞行
Qorvo宣布，其工厂制造的零部件在7月新视野号冥王星探索飞行过程中起到了关键作用。新视野号太空飞船自2006 年发射升空后，经过三十亿英里的长途跋涉，于格林尼治标准时间7月14日11:49（北京时间7月14日19:49）飞掠冥王星。太空飞船进入“柯伊伯带(Kuiper belt)”区域，对冥王星及其卫星的数据和图像进行收集，然后发送回地球进行评估。
TDD-LTE 射频滤波器的兴起
随着智能手机和平板电脑等设备的增多，频谱变得日益拥挤，射频前端的射频滤波器也随之不断增加。这一趋势正在推动通信设备整体射频TAM 的发展。
Qorvo高功率802.11ac功率放大器增强家庭和用户端设备(CPE)应用性能
Qorvo日前宣布推出针对家庭应用，包括接入点、网关、路由器和机顶盒的全新系列高功率、高效率5GHz 802.11ac Wi-Fi产品。
Qorvo推出GaN/GaAs混合点对点功率放大器系列
Qorvo日前宣布推出氮化镓(GaN)/砷化镓(GaAs)混合功率放大器系列，用以扩展范围并满足点对点无线电链路市场数据吞吐速率爆炸式提高的需求。
Qorvo推出新型SOI器件，增强高性能宽带通信系统
Qorvo, Inc.推出适合宽带通信系统的新型高性能绝缘硅片(SOI)器件。这种高集成度器件可显著减少无线基础设施、测试与测量设备、国防与航空航天应用中的外部器件，降低成本和功耗，并减轻其重量。
“小身材大作用”——小基站带来大市场
现在手机已经不再仅仅是通讯设备，已经成为人们日常生活的必需品，人们用手机看视频、玩游戏、看邮件处理工作等，手机已经深入人们的日常生活。随着智能手机和智能终端的普及，人们对于移动网络的需求量与日俱增。传统的宏基站覆盖网络已经无法满足人们对移动数据流量的需求，小基站的出现大大弥补了宏基站的技术空白。
