碳化硅外延片_碳化硅外延片是什么意思 - 点点手机版网页打不开

瀚天天成：两头承压，何以破局

碳化硅外延企业瀚天天成赴港上市，尽管在全球市占率名列前茅，但仍面临上下游双重挤压，导致利润率持续下降。上游衬底厂商控制稀缺资源，下游器件厂商通过降价传递压力，使得中游外延企业陷入薄利困境。瀚天天成希望通过扩产8英寸产能寻求突破，但面临供需错配风险。要想打破夹心层困境，需要跳出代工思维，向上下游延伸构建协同壁垒，或者在细分领域建立差异化价值。

碳化硅内参

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03/25 09:31

碳化硅外延片

全球首发！瀚天天成12英寸SiC外延晶片正式发布

瀚天天成发布12英寸碳化硅外延晶片，性能指标达国际先进水平，供应链实现国产化协同，推动国内SiC产业发展。

化合物半导体市场

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2025/12/25

碳化硅碳化硅外延片

元器件交易动态周报-功率器件需求受累于风光新增装机容量的下滑

核心观点： 2025年9月，二极管和晶体管需求指数同环比均呈现微幅下滑态势。9月国内汽车产销量继续维持高增速，分别同比增长17.1%、14.9%；国内白色家电中空调、冰箱产量同比小幅下滑，洗衣机产量同比增长5.6%；风光电新增装机容量继续呈下跌态势。交货周期方面，9月二极管和晶体管交货周期指数环比均微幅上涨。价格上，9月二极管和晶体管价格环比分别增长-1.1%、11.9%。三大维度解读功率器件最

史德志

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2025/10/28

元器件动态周报碳化硅外延片

瀚天天成：8吋SiC需求将超380万片

瀚天天成发布第二版招股说明书，透露未来扩产计划：预计2029年8英寸碳化硅外延产能达46.3万片，同比增长显著。公司上半年碳化硅外延营收为2.66亿元，毛利率降至18.7%，但仍保持稳定增长势头。

行家说三代半

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2025/10/16

SiC 碳化硅外延片

蚀刻工艺和外延工艺区别

蚀刻工艺和外延工艺是半导体制造中的两个核心步骤，它们在功能、原理、材料变化及应用场景等方面存在显著差异。以下是详细的对比分析：一、定义与核心目标特性蚀刻工艺（Etching）外延工艺（Epitaxy）主要目的去除材料：通过化学或物理方法选择性地溶解特定区域的薄膜（如氧化层、金属层），形成沟槽、通孔或图案化结构。生长材料：在单晶衬底上沉积一层或多层晶体结构匹配的新材料，扩展器件的功能

苏州芯矽电子科技有限公司

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2025/08/11

蚀刻设备碳化硅外延片

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