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长鑫存储“双芯"亮相IC China，首发DDR5高端新品最高速率达8000Mbps

长鑫存储在IC China 2025（中国国际半导体博览会）上正式发布其最新DDR5产品系列：最高速率达8000Mbps，最高颗粒容量24Gb，均达到国际领先水平，并同步推出覆盖服务器、工作站及个人电脑全领域的七大模组产品。此次长鑫存储以“双芯共振，5力全开”为主题，同台展示了最新DDR5系列产品以及最高速率10667 Mbps、最高颗粒容量16Gb的最新LPDDR5X移动端内存。其两大产品系列

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11/24 08:48

dram 内存

长鑫存储“双芯"亮相IC China，首发DDR5高端新品最高速率达8000Mbps

IEDM见证中国创新路径，长鑫存储展现DRAM关键技术攻

近日，在第71届国际电子器件大会（IEDM）的议程内，一场由北京大学研究员主讲的研讨会引发关注。其主题为“面向边缘大模型的器件 - 阵列 - 系统协同优化：基于BEOL FeFET的高精度高吞吐量多位模拟存内计算（ACiM）宏单元”，直指边缘计算场景中算力瓶颈的破解路径。模拟存内计算长期被视为提升边缘大模型能效的关键技术，但其可靠性问题一直制约落地。北京大学的研究通过器件-阵列-系统三级协同优

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11/19 11:56

dram 长鑫存储

估值3000亿！传国产DRAM龙头明年冲刺IPO

长鑫存储计划明年一季度在上海进行首次公开募股，目标估值高达3000亿元人民币。作为国内唯一实现大规模量产通用型DRAM的IDM企业，长鑫存储正在加大投资以追赶韩国海力士和三星，特别是在高带宽内存领域。

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10/23 16:25

dram 长鑫存储

长鑫存储完成首期上市辅导，罕见34人豪华团队护航

长鑫存储IPO辅导完成，迎“量价齐升”黄金周期机遇，有望成为A股半导体重量级玩家。

是说芯语

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10/11 09:25

IPO 长鑫存储

国产HBM3突破！

长鑫存储已开始向华为供应第四代高带宽存储器（HBM3）样品，计划将其集成到AI点点taptap安卓“昇腾910C”中，以提升产品性能。该样品基于自主“G4”存储工艺，采用16nm制程，相比前一代工艺缩小20%面积，能效优化显著。长鑫存储正积极扩充HBM产能，目标在2025年第四季度提升至每月约5万片晶圆。华为昇腾910C计划搭载长鑫存储的HBM3，有望显著提升其AI算力表现。

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1.3万

09/04 09:50

长鑫存储 HBM3

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