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碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济的一种，可以称为金钢砂或耐火砂。 中国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种，均为六方晶体，比重为3.20～3.25，显微硬度为2840～3320kg/mm2。

碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济的一种，可以称为金钢砂或耐火砂。 中国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种，均为六方晶体，比重为3.20～3.25，显微硬度为2840～3320kg/mm2。收起

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  • 2025年SiC产业洞察②：展望与开拓
    碳化硅行业专家们在2025年产业论坛上分享了对未来五年的发展展望，认为碳化硅优势将全面释放，产业前景可期。他们强调了性价比竞争和技术能力竞争的重要性，并预测碳化硅市场将逐步替代IGBT，实现大规模应用。多家公司表达了对中国碳化硅材料在全球市场的领先地位的信心，同时呼吁加强协同合作和品牌建设，推动产业升级。
    575
    2025/12/30
    SiC 碳化硅
    2025年SiC产业洞察②：展望与开拓
  • 2025年SiC产业洞察①：内卷与破局
    近日，深圳举办的“2025行家说三代半年会——碳化硅&氮化镓产业高峰论坛”吸引了众多行业高层的关注。会上，多位专家就碳化硅行业的发展现状和未来趋势展开了深入讨论。 中车时代半导体副总工程师李诚瞻指出，碳化硅行业从6英寸到8英寸的升级标志着行业进入了“2.0时代”。芯干线总经理孔令涛认为，碳化硅在汽车和消费电子领域的渗透加速，预示着行业将迎来快速增长期。海姆希科总经理高崎哲强调，价格竞争将是未来行业的重要特征，促使企业加快技术创新。 利普思总经理丁烜明认为，碳化硅取代IGBT需要持续的迭代和坚持。瀚薪科技总经理李隆正提出，与客户紧密合作才能更好地满足市场需求。中瑞宏芯半导体CEO张振中预测，碳化硅将在电机领域取得更多突破。凌锐半导体总经理刘桂新鼓励同行们通过竞争推动技术进步。 芯粤能半导体研发副总裁相奇表示，2025年是国产碳化硅MOSFET点点taptap安卓“上车”的元年。中天晶科副总经理罗鹏强调，运营效率和成本优化将使SiC产品更具竞争力。同光半导体董事郑向光观察到，碳化硅在AR眼镜等新兴领域的应用扩展，预示着行业将迎来新的发展机遇。 北方华创化合物行业总经理李仕群总结了2025年碳化硅行业的三大变革：价格、市场和技术的变化，这些变革将推动产业进步。
    526
    2025/12/30
    SiC 碳化硅
    2025年SiC产业洞察①：内卷与破局
  • 电阻率0.39mΩ•cm！SiC键合技术获新突破
    SiC键合衬底领域取得新进展，青禾晶元成功研发大尺寸4H/3C-SiC单晶复合衬底，电阻率降至0.39 mΩ•cm；住友金属子公司Sicoxs的键合碳化硅衬底已应用于MOSFET器件开发，预计2025年末投产8英寸产线。多家厂商在SiC键合衬底方面取得技术突破，推进8英寸产品量产，有望推动行业发展。
    1402
    2025/12/25
    SiC 键合工艺
    电阻率0.39mΩ•cm！SiC键合技术获新突破
  • 多家SiC企业订单/交付捷报频传
    临近年底，多家SiC企业取得新进展：晶盛机电交付12英寸单片式碳化硅外延生长设备给瀚天天成；国基南方碳化硅MOSFET系列产品获得国际客户批量订单；芯塔电子成功向华南某大型光伏电站批量供应碳化硅MOSFET。这些进展展示了国内SiC企业的技术创新和市场拓展能力。
    811
    2025/12/25
    SiC 碳化硅MOSFET
    多家SiC企业订单/交付捷报频传
  • 从电网到GPU：安森美以SiC与垂直GaN突破AI数据中心能效极限
    AI 的迅猛发展推动了数据中心的广泛部署，但其巨大的能源需求引发环保担忧。数据中心的用电量预计在未来几年将持续增长，成为电力消耗的重要组成部分。为应对这一挑战，业界正探索通过提高能效和采用新型半导体材料来降低数据中心的总体拥有成本(TCO)。安森美作为领先的解决方案提供商，正在利用碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽禁带材料，开发高效能的电源转换器，以满足AI处理器和GPU的高用电需求，从而促进数据中心向更加绿色、可持续的方向发展。
    791
    2025/12/24
    SiC 数据中心
  • 英飞凌/意法半导体/安森美释放扩产与技术突破信号
    巴克莱全球科技年会上，英飞凌、意法半导体、安森美三大半导体巨头聚焦AI算力与第三代半导体发展，透露SiC和GaN产能规划和技术突破，强调通过技术创新和生态建设推动下游产业绿色低碳转型。
    772
    2025/12/23
    SiC 半导体供应链
    英飞凌/意法半导体/安森美释放扩产与技术突破信号
  • 最高2.5亿元！又有4家SiC企业获得融资
    碳化硅领域迎来多轮资本加码，悉智科技完成2.5亿元Pre-A轮融资，预计2025年实现销售额近2亿元；积塔半导体完成D轮融资，注册资本增至约179亿元；硅酷科技获得芯联资本战略投资，与芯联集成达成合作；芯微泰克获得数千万股权融资，强化特种工艺能力。
    570
    2025/12/23
    SiC 碳化硅
    最高2.5亿元！又有4家SiC企业获得融资
  • 马来西亚再增8英寸GaN/SiC晶圆厂
    爱尔兰半导体企业CHIPX Global计划在马来西亚投资建设一座8英寸GaN/SiC集成电路晶圆制造工厂，聚焦下一代人工智能数据中心需求。同时，英飞凌、意法半导体和奥特斯分别在马来西亚推进SiC晶圆制造、封装测试和封装载板生产，形成完整的产业链闭环。此外，晶盛机电等中国企业也加速布局马来西亚，加强SiC衬底和封测能力，助力当地第三代半导体产业发展。
    604
    2025/12/22
    SiC 晶圆厂
    马来西亚再增8英寸GaN/SiC晶圆厂
  • 天域半导体新SiC产线通线，年产能冲刺80万片
    随着新能源领域需求增长，全球碳化硅功率半导体市场规模预计将大幅上升至超100亿美元。天域半导体东莞生态园新基地碳化硅外延产线通线，产能升级迈向80万片目标，并与多家上下游企业达成战略合作，加速国产替代进程。
    636
    2025/12/22
    SiC 碳化硅功率器件
    天域半导体新SiC产线通线，年产能冲刺80万片
  • 新增8吋SiC晶圆线，目标取代数据中心硅光子
    12月17日，CHIPX Global宣布将在马来西亚建设8英寸GaN/SiC晶圆制造工厂，目标是加速提升马来西亚在光子学、高带宽光互连以及先进材料工程方面的能力。该项目有机会在多个环节中导入SiC和GaN，潜在市场规模约200亿元。具体应用包括AI数据中心光互连中的SiC光子集成电路、SiC波导、SiC中介层，以及GPU处理器中的GaN晶圆、SiC中介层。
    439
    2025/12/22
    SiC 硅光子
    新增8吋SiC晶圆线，目标取代数据中心硅光子
  • 国内碳化硅产业获动态，两则SiC项目迎新进展
    近期，碳化硅产业领域传来两项重要进展：弘源碳化硅公司制品车间核心设备技改项目顺利竣工，浙江坚膜科技有限公司高端碳化硅膜扩建项目完成备案，分别从生产环境优化与高端产能升级维度，推动我国碳化硅产业在技术应用与产业化布局上实现新突破。
    387
    2025/12/22
    SiC 碳化硅
    国内碳化硅产业获动态，两则SiC项目迎新进展
  • 2025年SiC衬底相关项目已达14个
    年底临近，多个SiC衬底项目加速推进，累计已达14个，总投资超过98亿元。东海科技推进8英寸SiC衬底项目，投资额50亿元；另一项目一期投资约0.68亿元，年产碳化硅晶锭720个，产值目标1.2亿元。整体来看，国内外头部厂商积极布局碳化硅产能，预期全球供应能力提升，推动成本下降与应用普及。
    1026
    2025/12/19
    SiC 碳化硅衬底
    2025年SiC衬底相关项目已达14个
  • 直面5大挑战 罗姆SiC/GaN赋能数据中心
    随着 800V HVDC架构浪潮奔涌而来，碳化硅和氮化镓头部企业正重兵集结，强势切入数据中心电源赛道。这片潜力十足的市场，已然跃升为第三代半导体行业新一轮的竞逐高地。
    564
    2025/12/17
    SiC 数据中心
    直面5大挑战 罗姆SiC/GaN赋能数据中心
  • 意法半导体获82亿资金支持，8吋SiC是关键投资
    前段时间，安森美8英寸碳化硅工厂获得欧委会约36.81亿补贴（回顾链接），昨天，意法半导体的8英寸碳化硅工厂也获得了资金支持。 12月11日，意法半导体宣布，他们与欧洲投资银行签署了一项价值10亿欧元（约82.88亿人民币）的信贷额度协议，首期5亿欧元（约41.44亿人民币）已到位。 这笔资金将主要用于支持意法半导体在意大利和法国的半导体研发与制造项目，其中60%用于提升大规模制造能力，主要投向卡
    797
    2025/12/16
    SiC
  • 2个SiC项目推进，总投资达7.6亿
    韩国东部高科计划投资5.7亿元扩大碳化硅产能，目标在2026年底前完成8英寸碳化硅工艺开发，并在未来五年内投入1.5万亿韩元扩建洁净室设施和提高产能。同时，韩国政府计划投资1.9亿元建立釜山8英寸碳化硅示范晶圆厂，推动韩国半导体产业发展。
    602
    2025/12/16
    SiC
  • 英飞凌高功率碳化硅技术升级优化 助力 Electreon 动态无线充电道路系统升级
    英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）将为领先的电动汽车（EV）无线充电解决方案提供商 Electreon（TASE代码：ELWS）提供定制碳化硅（SiC）功率模块，以支持其动态道路充电技术。该动态无线充电道路系统（wERS）采用感应式充电技术为电动汽车进行无线充电。在车辆行驶过程中，预埋在路面下的铜线圈可为客车、卡车及其他电动汽车供电。该系统与电网连接，当车辆行
    408
    2025/12/15
    电动汽车 SiC
    英飞凌高功率碳化硅技术升级优化 助力 Electreon 动态无线充电道路系统升级
  • 欧洲投资银行与意法半导体签署10亿欧元协议，助力欧洲提升竞争力与战略自主权
    欧洲投资银行（EIB）与意法半导体（NYSE:STM）已签署5亿欧元融资协议，以提升欧洲竞争力与战略自主权。此举为EIB近期批准的10亿欧元信贷额度首期款项，受益方意法半导体是欧洲排名前列的半导体制造商，在意大利、法国和马耳他设有重要生产基地，服务于汽车、工业、个人电子及通信基础设施市场。 自1994年以来，EIB已支持意法半导体九个项目，累计融资约42亿欧元。本次合作将助力意法半导体在意大利和法
    411
    2025/12/15
    SiC 意法半导体
  • SiC产业：从1.0时代向2.0时代跃迁
    12月4日，“2025行家说三代半年会—碳化硅&氮化镓产业高峰论坛”上，《2025碳化硅(SiC)器件&模块产业调研白皮书》发布。白皮书总结了SiC产业从1.0到2.0的跃迁，指出价格持续下探和产值规模增速放缓两大特征。展望未来，SiC技术将在新能源汽车、数据中心、光伏储能等多个高价值市场迎来发展机遇。
    882
    2025/12/10
    SiC SiC产业
    SiC产业：从1.0时代向2.0时代跃迁
  • AMEYA360代理：上海永铭第三代半导体落地关键，如何为GaN/SiC系统匹配高性能电容解决方案
    引言： 氮化镓(GaN)与碳化硅(SiC)技术正推动功率电子革命，但真正的场景落地，离不开与之匹配的被动元件协同进化。 当第三代半导体器件以其高频、高效、耐高温高压的优势，在新能源汽车电驱系统、光伏储能逆变器、工业伺服电源、AI服务器电源及数据中心供电等场景中加速普及时，供电系统中的电容正面临前所未有的挑战：高频开关噪声加剧、高温容值衰减、纹波电流过大、功率密度不足——这些已成为GaN/SiC系统
    899
    2025/12/05
    SiC 电容
  • 中国SiC产业链集群分布图及代表性企业汇总
    碳化硅功率器件因其优越性能广泛应用于多个领域，预计未来十年市场规模将持续增长。中国SiC产业链呈现长三角和珠三角双龙头、多极化的格局，涵盖了衬底、外延、设计、制造和封测各个环节。代表性企业如比亚迪半导体、斯达半导体和华润微等在各自领域取得显著进展。随着市场竞争加剧，未来几年可能会出现小企业倒闭和收购热潮。
    1996
    2025/12/03
    SiC SiC产业
    中国SiC产业链集群分布图及代表性企业汇总

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